La directora del LMA Pilar Cea y José María de Teresa, jefe del Área Dual Beam, analizan en ‘El Español’ el futuro de los semiconductores híbridos

Ambos abordan cómo la hibridación del silicio permitirá superar los límites físicos de la computación actual sin disparar los costes industriales.

El límite de la miniaturización tradicional

La reducción del tamaño de los transistores de silicio ha alcanzado sus límites físicos esenciales. Esto genera problemas severos de sobrecalentamiento en los componentes, lo que impide responder con eficacia a la enorme demanda de procesamiento que imponen actualmente la inteligencia artificial y la computación en la nube.

La propuesta: integración heterogénea y fotónica

Para resolver este cuello de botella, Cea y de Teresa sostienen que no hay que abandonar el silicio, sino transformarlo mediante dos vías:

• Integración heterogénea: consiste en incorporar materiales avanzados con mejores propiedades ópticas y eléctricas directamente sobre las obleas de silicio tradicionales.

• Fotónica de silicio: implica sustituir la electricidad por impulsos de luz para transferir los datos dentro del propio chip. Al emplear fotones en lugar de electrones, se elimina el exceso de temperatura y se multiplica la velocidad de la información.

Viabilidad y sostenibilidad económica

El valor fundamental de esta estrategia radica en su pragmatismo industrial. Al basarse en la hibridación, se pueden aprovechar las millonarias infraestructuras de fabricación que ya existen en todo el mundo. Esto asegura un equilibrio real entre el incremento del rendimiento técnico y la contención de los costes de producción para la próxima década.